在推进dram的制造技术上，三星、sk海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。
10月21日，sk海力士宣布了开发基于第三代1z纳米（10nm）工艺的ddr4动态随机存储器（dram），称将实现单一芯片标准内世界最大容量的16gb，即在一张晶圆中能生产的存储量达到现存的dram中最大。
据悉，新款1z纳米dram支持高达3200 mbps的数据传输速率，达到ddr4规格内最高速度；同时在功耗方面，与上一代相同容量模组相比，降低了约40％；此外，与上一代1y纳米产品相比，其产能提升约27％，因其无需昂贵的极紫外（euv）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
值得指出的是，第三代产品使用了上一代生产过程中未使用的新材料来增加电容，而随着电容的增加，存储数据的保留时间和一致性也会增加，因而稳定性得以提升。
对于产品的商用，sk海力士表示将在年内做好批量生产的准备，并于2020年开始全面供应，以积极响应市场需求。此外，它计划将第三代1z纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域，包括下一代移动dram lpddr5和最高端dram hbm3等。
